Infineon IRLU3410PBF

Name: Infineon IRLU3410PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLU3410PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.105 Ohm; Id 17A; I-pak (TO-251AA); Pd 79W

$ 0.443

EOL

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	38K3019	462	1		1,610	1,160	0,712	0,530	0,447	3d
Newark		IRLU3410PBF	462	1		0,443	0,443	0,443	0,443	0,443
Arrow Electronics		IRLU3410PBF	30.200	1		0,875	0,426	0,422	0,396	0,346
Rutronik		STDMOS1351	2.250	75				0,420	0,334	0,334	20h
DigiKey		IRLU3410PBF-ND	5.416	1	Tube	1,720	1,720	0,763	0,569	0,435

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 21 Jahren

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-06-30

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 weeks ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLU3410PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 79W

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 105 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - IPAK

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package, IPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

IHS

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: IPAK Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 79 W

Distrelec

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:15A; On Resistance Rds(On):0.105Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, N, 100V, 15A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:52W; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:17A; Junction to Case Thermal Resistance A:2.4°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:105mohm; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:52W; Power Dissipation Pd:52W; Pulse Current Idm:60A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V

element14 APAC

Bilder

International Rectifier

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRFIRLU3410PBF
IRLU3410
IRLU3410PBF.
SP001574164

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-251-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)17 A

Current Rating17 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance125 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Dual Supply Voltage100 V

Fall Time26 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance800 pF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation52 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance105 mΩ

Package Quantity3000

PackagingBulk

Power Dissipation52 W

Rds On Max105 mΩ

Resistance105 mΩ

Rise Time53 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time30 ns

Turn-On Delay Time7.2 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Dimensions

Height9.75 mm

Length6.7056 mm

Width2.3876 mm

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