Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | HUF75617D3 | 3.763 | 1140 | |||||||||
| Rochester Electronics | HUF75617D3 | 5.222 | 4h | |||||||||
| Microchip USA | HUF75617D3 | 336 | 3500 | Tray | 21h | |||||||
| Anlinkda | HUF75617D3 | 46.847 | 10h | |||||||||
| RC Electronics | HUF75617D3 | 30.674 | 1 | >1wk |
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Verwandte Teile
InfineonIRLU3410PBF
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.105Ohm; ID 17A; I-Pak (TO-251AA); PD 79W
InfineonIRFU5410PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;I-Pak (TO-251AA);PD 66W
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF75617D3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 16A TO-251AA
MOSFETs 16a, 100V N-Ch 0.090Ohm
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance570 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation64 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation64 W
Rds On Max90 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.85 mm
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