Infineon IRF130
$ 18.605
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF130 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRF130 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 18.605
$ 27.405
Stock
14,405
8,362
Authorized Distributors
3
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
-
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
75 W
75 W
Input Capacitance
-
-
Verwandte Teile
InfineonJANTX2N6756
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF130, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package, TO-204AA-2
Infineon SCT
IRF130 Series 100 V 0.18 Ohm 12 nC Through Hole N-Channel Power MOSFET - TO-3
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
45 A 100 V 0.21 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-3
HEXFET, Hi-Rel 100V, 14A, 0.180 ohm
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
N CH MOSFET, 100V, 14A, TO-204AA; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:75W; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:14A; Current Temperature:25°C; Fixing Centres:30mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:11mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-3; Power Dissipation Pd:75W; Power Dissipation Pd:75W; Pulse Current Idm:56A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Power Dissipation75 W
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height7.74 mm
Lead Pitch11 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF130 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen