Infineon JANTX2N6756
$ 27.405
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3-Monats-Trend: -100%
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Price @ 1000
$ 27.405
$ 18.605
Stock
8,362
14,405
Authorized Distributors
2
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Continuous Drain Current (ID)
14 A
14 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
75 W
75 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
International RectifierJANTXV2N6756
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTX2N6756, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package, TO-204AA-2
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Power Dissipation75 W
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen