Infineon IPD50R2K0CEAUMA1
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NRND
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPD50R2K0CEAUMA1 | 2.086 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPD50R2K0CEAUMA1 | 2.327 | 1 | |||||||||
| Rutronik | TMOS1970 | 2.500 | 2500 | 1d | ||||||||
| DigiKey | 448-IPD50R2K0CEAUMA1CT-ND | 16.942 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPD50R2K0CEAUMA1 | 0 | 2500 | 2d |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Stock
558,692
45,525
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
3.6 A
2.4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
30 V
Power Dissipation
19 W
-
Input Capacitance
124 pF
124 pF
Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-05
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
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Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD50R2K0CEAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin TO-252 T/R
Mosfet, N-Ch, 500V, 3.6A, 150Deg C, 33W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50R2K0CEAUMA1
500V 3.6A 1.8惟@13V,600mA 33W 3V@50uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Infineon NMOS 500V CoolMOS CE, Vds=500 V, 2.2 A, DPAK (TO-252), , 3
N-CH 500V 3,6A 2000mOhm TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Infineon MOSFET IPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252
IPD50R2K0 - 500V COOLMOS N-CHANN
500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance124 pF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation22 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation19 W
Rds On Max2 Ω
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height2.55 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead, Lead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen