Infineon IPD60R1K5CEATMA1
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Stock
71,607
668,506
Authorized Distributors
1
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
1.5 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
49 W
28 W
Input Capacitance
200 pF
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
InfineonIPD60R1K4C6ATMA1
28.4W(Tc) 20V 3.5V@ 90¦ÌA 9.4nC@ 10 V 1N 600V 1.4¦¸@ 1.1A,10V 3.2A 200pF@100V TO-252 2.56mm
VishaySIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK / N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD60R1K5CEATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 0.047uF 25volt X7R +/-5%
N-Channel 600 V 3.1 A 1500 mO 9.4 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 3.1A 3-Pin TO-252 T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 3.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation49 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation49 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.55 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen