onsemi SSR1N60BTM-WS
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2011-12-13
LTD Date2012-06-13
Verwandte Teile
InfineonIPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 / Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SSR1N60BTM-WS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2.5W(Ta),28W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 7.7nC@ 10V 1N 600V 12¦¸@ 450mA,10V 215pF@25V DPAK
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 900mA Tc 900mA 2.5W 600V
Trans MOSFET N-CH 600V 0.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CH/600V/0.9A/12OHM/SUBSTITUTE OF SSR1N60ATM
MOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel
SSR1N60BTM_WS Fairchild/ON Semiconductor
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -28.57%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Drain to Source Resistance12 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance215 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max12 Ω