onsemi FQD3N40TM
$ 0.345
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD50R2K0CEBTMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPD50R3K0CEAUMA1
IPD50R3K0CE: 500 V 1.7 A 3 Ohm SMT CoolMOS CE Power Transistor - PG-TO252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD3N40TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating2 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.4 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Datenblätter und Dokumente
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