Infineon IPD50R1K4CEAUMA1
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
InfineonIPD50R2K0CEBTMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiFQD3N50CTF
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiSSR1N60BTM-WS
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPD60R1K5CEATMA1
N-Channel 600 V 3.1 A 1500 mO 9.4 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD50R1K4CEAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
500V CoolMOS™ CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance178 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation25 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time6 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height2.41 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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