Infineon IGW30N60TFKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
InfineonIHW30N65R5XKSA1
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IGW30N60TFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
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IGW30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT
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Hard-switching 600 V, 30 A TRENCHSTOP™ IGBT3 in TO-247 package for significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept.
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Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current45 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen