STMicroelectronics STGW30V60DF
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW30V60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
V Series 600 V 60 A Through Hole Silicon IGBT - TO-247-3
258W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 258W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT Trench gate,600V 30A/100 deg,TO247
IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
TO247 IGBT 30A 600V TRENCH GAT
STGW30V60DF, 30 A 600 V, 1MHZ, 3-PIN TO-247
STMICROELECTRONICS STGW30V60DF
Igbt, Single, 600V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.85V; Power Dissipation:258W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW30V60DF
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.35 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation258 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation258 W
Reverse Recovery Time53 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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