STMicroelectronics STGW30NC120HD
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Verwandte Teile
onsemiNGTB25N120SWG
Igbt Single Transistor, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
onsemiHGTG11N120CND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
InfineonIHW30N120R3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, PG-TO247-3, RoHS
InfineonIHW30N135R3FKSA1
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode 1350V 30A 3-Pin TO-247
InfineonIHW30N110R3FKSA1
1100 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGW30NC120HD, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 1200 V 30 A Very Fast PowerMESH IGBT - TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 220W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STGW30NC120HD, IGBT TRANSISTOR, 60 A 1200 V, 1MHZ, 3-PIN TO-247
STMICROELECTRONICS STGW30NC120HD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.75 V, 220 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
STMicroelectronics IGBT, maximum 1200 V, maximum 60 A
Trench gate field-stop IGBT, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Stgw30nc120hd Igbt N 1200V 30A TO247
IGBT, N 1200V 30A TO-247; DC Collector Current: 60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.75V; Power Dissipation Pd: 220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current30 A
Current Rating30 A
Element ConfigurationSingle
Forward Current30 A
Forward Voltage1.9 V
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation220 W
Reverse Recovery Time152 ns
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time275 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant