Infineon IKW30N60TFKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIKW30N60H3FKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIGW30N60TFKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
InfineonIHW30N65R5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKW30N60TFKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
187W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247-3-1 IGBT Transistors / Modules ROHS
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, N, 600V, 30A, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:25A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:187W; Power Dissipation Pd:187W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Hard-switching 600 V, 30 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 30 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 600 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 1.5 / Emitter Leakage Current nA = 100 / Power Dissipation (Pd) W = 187 / Gate Emitter Voltage (Vge) V = 20 / Operating Temperature Min. °C = -40 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen