Infineon IHW30N65R5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonIKW30N65WR5XKSA1
650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
InfineonIHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5 Series 650 V 80 A 282 W Reverse Conducting IGBT - PG-TO-247-3
STMicroelectronicsSTGW35HF60WDI
STGW35HF60WD Series 600 V 30 A Flange Mount Ultra Fast IGBT - TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IHW30N65R5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Infineon combines the industry leading performance of the TRENCHSTOP™ 5 family with the technology innovation of the reverse conducting RC-H IGBTs to create a new generation of best-in-class devices, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Igbt, Single, 650V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.35V; Power Dissipation:176W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IHW30N65R5XKSA1
The Reverse Conducting R5 650 V, 30 A RC-H5 IGBTs with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO-247 package has been optimized for the demanding requirements of Induction Cooking applications. With a monolithically integrated diode, the 650 V RC-H5 IGBTs are perfectly suited for soft switching applications such as induction cooking stoves and inverterized microwave ovens. The RC-H5 IGBT complement the previous generation of reverse conduction IGBTs and extend the performance leadership of the RC-H family, focusing on system efficiency and reliability
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current60 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation176 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation176 W
Reverse Recovery Time95 ns
Turn-Off Delay Time220 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen