Infineon IKW30N65WR5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
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InfineonIHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5 Series 650 V 80 A 282 W Reverse Conducting IGBT - PG-TO-247-3
STMicroelectronicsSTGW35HF60WDI
STGW35HF60WD Series 600 V 30 A Flange Mount Ultra Fast IGBT - TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKW30N65WR5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Infineon IKW30N65WR5XKSA1 IGBT, 30 A 650 V PG-TO247-3
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode
TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
晶体管, IGBT, 650V, 60A, 175度 C, 185W;
Igbt, Single, 650V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.4V; Power Dissipation:185W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKW30N65WR5XKSA1
High speed 650 V, 30 A reverse conducting TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT in TO-247 package. The Reverse Conducting TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT features an optimized diode that is adequately rated for the target application. WR5 is recommended for use in the PFC stage in air conditioning, DC/DC in welding, AC/DC in UPS and MPPT in solar string inverters. The excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high-performance technology also for cost sensitive customers.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current60 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current60 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation185 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity240
Power Dissipation185 W
Reverse Recovery Time95 ns
Turn-Off Delay Time367 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height25.5 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen