Infineon AUIRFZ44VZS
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Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 4.18
$ 1.25
Stock
102,271
326,521
Authorized Distributors
2
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
57 A
57 A
Threshold Voltage
2 V
4 V
Rds On Max
12 mΩ
12 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
92 W
92 W
Input Capacitance
1.69 nF
1.69 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-02-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Verwandte Teile
InfineonAUIRFZ44ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS3806
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFZ44VZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET, N CH, 60V, 57A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:92W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263AB; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)57 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.69 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation92 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance12 mΩ
Package Quantity1000
PackagingRail/Tube
Power Dissipation92 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time62 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen