Infineon AUIRFZ48ZS
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 3.8
Stock
106,790
74,279
Authorized Distributors
0
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
61 A
61 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
91 W
91 W
Input Capacitance
1.72 nF
1.72 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Verwandte Teile
InfineonAUIRFZ44ZS
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFZ46ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 10.9 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 82W;VGS +/-20
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFZ48ZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 55V 61A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
Single N-Channel 55 V 8.6 mOhm 64 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 61A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,W DIODE,N CH,55V,61A,D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0086ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:91W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)61 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.72 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation91 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation91 W
Rds On Max11 mΩ
Resistance8.6 MΩ
Rise Time69 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen