onsemi NDB6060L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 48A, 25mΩ
$ 1.463
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
VericalNDB6060L1.306192
Rochester ElectronicsNDB6060L1.306
1h
Farnell
2
NDB6060L01Cut Tape
11h
element14 APACNDB6060L01Cut Tape
13h
Component Stockers USANDB6060L12.203
1d

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Datasheet8 SeitenVor 3 Jahren
Technical Drawing1 SeiteVor 5 Jahren

IHS

Future Electronics

element14 APAC

onsemi

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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2023-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi NDB6060L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 48A, 25mΩ
onsemi
N-Channel 60 V 0.025 Ohm SMD Enhancement Mode Transistor - TO-263AB
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:100W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Capacitance Ciss Typ:1630pF; Current Id Max:48A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulse Current Idm:144A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage Vgs th Max:2V; Voltage Vgs th Min:1V
element14 APAC
These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Fairchild Semiconductor

Bilder

Farnell
RS
Newark
Newark
Newark
element14 APAC
Future Electronics
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • NDB6060L.