Infineon AUIRFZ44ZS
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.152
$ 1.152
Stock
37,220
121,479
121,479
Authorized Distributors
1
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
51 A
51 A
51 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
13.9 mΩ
13.9 mΩ
13.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
80 W
80 W
80 W
Input Capacitance
1.42 nF
1.42 nF
1.42 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Verwandte Teile
InfineonIRFZ46ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 10.9 Milliohms;ID 51A;D2Pak;PD 82W;VGS +/-20
InfineonAUIRFS3806
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFZ44ZS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 51A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
MOSFET,N CH,55V,51A,D2PAK; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:80W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:80W; Voltage Vgs Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation80 W
Rds On Max13.9 mΩ
Rise Time68 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width11.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen