Vishay SQM60N06-15_GE3
$ 1.246
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiFDB14AN06LA0-F085
MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiFDB14AN06LA0
N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 60A, 14.6mΩ | MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQM60N06-15_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 0.015 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-263
107W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 60V 15m¦¸@ 30A,10V 56A 2.48nF@25V TO-263
Trans MOSFET N-CH 60V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.47%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.48 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation107 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 mΩ
Rise Time12 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen