STMicroelectronics STGB30H60DFB
$ 1.076
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STGB30H60DFB | 1 000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STGB30H60DFB | 1 000 | 1K | |||||||||
| TME | STGB30H60DFB | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Newark | STGB30H60DFB | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STGB30H60DFB | 0 | 1K | 12h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 1.076
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Stock
298,812
116,275
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
60 A
60 A
Power Dissipation
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55 V
1.55 V
Reverse Recovery Time
53 ns
-
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGB30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STGB30H60DFB fournies par ses distributeurs.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-263; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:260W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Forward Current30 A
Forward Voltage2 V
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current60 A
Max Power Dissipation260 W
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Reverse Recovery Time53 ns