Infineon IGB30N60H3ATMA1

Name: Infineon IGB30N60H3ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IGB30N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.03

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	49AC0265	10	1		3,010	1,950	1,340	1,110	1,110	3d
Newark		IGB30N60H3ATMA1	10	1	Cut Tape	0,461	0,461	0,461	0,461	0,461
Arrow Electronics	2	IGB30N60H3ATMA1	370	1		1,334	1,334	1,334	1,334	1,334
DigiKey	3	IGB30N60H3ATMA1CT-ND	3 414	1	Cut Tape	3,090	2,004	1,383	1,117	1,117
Farnell	3	IGB30N60H3ATMA1	5 799	1	Cut Tape	3,023*	1,957*	1,606*	1,028*	1,028*	5h

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Datasheet14 pagesIl y a 15 ans

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-08-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGB30H60DLFB

HB Series 600 V 60 A 260 W Surface Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - D2PAK-3

Détails

STMicroelectronicsSTGB30H60DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Détails

STMicroelectronicsSTGB30V60DF

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed

Détails

onsemiFGB30N6S2

Tube Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.5V @ 15V 12A 45A 167W 6ns/40ns

Détails

InfineonAUIRGS30B60K

Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Détails

InfineonIRGS30B60KTRRP

Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGB30N60H3ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Infineon IGB30N60H3ATMA1 IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole

TodayComponents

IGBT, 60 A, 1.95 V, 187 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins

Avnet

600 V HIGH SPEED IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

High speed 600 V, 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Infineon

IGBT, SINGLE, 600V, 60A, TO-263; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.95V; Power Dissipation Pd:187W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins

element14 APAC

Igbt, 600V, 60A, 175Deg C, 187W; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:187W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1

Newark

Images

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :