onsemi SGW23N60UFDTM
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Pièces détachées
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
InfineonIRGS14C40LPBF
IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps | IGBT 430V 20A 125W D2PAK
Descriptions
Descriptions de onsemi SGW23N60UFDTM fournies par ses distributeurs.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
IGBT 600V 23A 100W D2PAK
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE WITH BUILT-IN DIODE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 12A 23A 100W 60ns
IGBT 600V 23A TO-263
MISCELLANEOUS MOSFETS;
IGBTs 600V/ 12A
N-CHANNEL IGBT
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time220 ns
Max Collector Current23 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Reverse Recovery Time42 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité