onsemi SGW5N60RUFDTM
$ 1.008
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Pièces détachées
InfineonIRGS4B60KD1PBF
Tube Surface Mount NPT ROHS3Compliant IGBT Transistor 2.5V @ 15V 4A 11A 63W 93ns
InfineonIRG4BC20KD-STRLP
IGBT 600V 16A 60W D2PAK / Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Descriptions
Descriptions de onsemi SGW5N60RUFDTM fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
IGBT 600V 8A 60W D2PAK
N-CHANNEL IGBT
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time280 ns
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Reverse Recovery Time55 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité