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Infineon IPB65R110CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
$ 3.077
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
2
IPB65R110CFDAATMA1
2 207
1
Cut Tape
USD
7,140
7,140
3,490
2,980
2,860
Arrow Electronics
IPB65R110CFDAATMA1
959
1
USD
6,174
6,174
6,174
6,174
6,174
Mouser
726-IPB65R110CFDAATM
1 448
1
Tape & Reel
USD
7,140
3,810
3,490
3,120
3,120
DigiKey
3
IPB65R110CFDAATMA1CT-ND
1 682
1
Cut Tape
USD
7,140
4,805
3,486
3,295
3,295
Avnet
IPB65R110CFDAATMA1
0
1K
USD
3,077
2,761
2d

Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB65R110CFDAATMA1
InfineonIPB65R110CFDATMA1
Price @ 1000
$ 3.077
$ 3.06
Stock
649,887
2,310,961
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vds)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
110 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
-
Input Capacitance
3.24 nF
-

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTB34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
Détails
InfineonIPB65R660CFDATMA1
Power Mosfet, N Channel, 6 A, 650 V, 0.594 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Détails
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Détails
VishaySIHB22N65E-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB65R420CFDATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB50R140CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB65R110CFDAATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Eurochip Technologies LTD
Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
277.8W 20V 4.5V 118nC@ 10V 1individualNChannel 650V 110mΩ@ 10V 31.2A 3.24nF@ 100V TO-263 SMD mount，glue mount 10mm*9.25mm*4.4mm
UnikeyIC
650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the 650V CoolMOS™ CFDA series provides also an integrated fast body diode.
Infineon
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Farnell

Images

TME
RS
Newark
Farnell

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB65R110CFDA
  • SP000896402