STMicroelectronics STB28NM50N

N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
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DistributorSKUMinPkg
VericalSTB28NM50N3 0001K
Arrow ElectronicsSTB28NM50N3 0001K
DigiKey
3
497-STB28NM50NCT-ND1 0661Cut Tape
TME
2
STB28NM50N01K
17h
AvnetSTB28NM50N01K
6h

Fiches techniques et documents

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Newark

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STMicroelectronics

element14 APAC

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPB50R140CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Détails
onsemiFDB15N50
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 15 A, 380 mΩ, D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a D2PAK package
Détails
InfineonSPB16N50C3
Mosfet Transistor, N Channel, 16 A, 560 V, 0.25 Ohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
Détails
InfineonIPB60R160C6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB28NM50N fournies par ses distributeurs.

N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronics
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
150W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 500V 158m¦¸@ 10.5A,10V 21A 1.735nF@25V D2PAK
Unikeyic (ICkey)
N-Channel 500 V 20A 150 mOhm 140 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 500V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Farnell
Mosfet, N Channel, 500V, 21A, To-263; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:21A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:500V; Resistencia De Activación Rds(On):0.135Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STB28NM50N
Newark

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Augswan
Farnell
Farnell
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics