Infineon IRFR4510TRPBF

Transistor, Hexfet Power Mosfet, N-channel, 100V , 63A, 13.9MOHM Max, D-pak
$ 0.723
Obsolete
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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.723
$ 0.8
Stock
553,083
127,105
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
56 A
56 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
13.9 mΩ
13.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
143 W
143 W
Input Capacitance
3.031 nF
3.031 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-05-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
STMicroelectronicsSTD80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK package, DPAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTD85N10F7AG
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 75V, 50A, 13mΩ

Descriptions

Descriptions de Infineon IRFR4510TRPBF fournies par ses distributeurs.

TRANSISTOR, HEXFET POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100V , 63A, 13.9MOHM MAX, D-PAK
Single N-Channel 100 V 13.9 mOhm 54 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N CH 100V 56A DPAK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:143W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 63 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 34 / Rise Time ns = 42 / Turn-OFF Delay Time ns = 42 / Turn-ON Delay Time ns = 18 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 143

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFR4510TRPBF.
  • SP001567870