Infineon IPD60N10S412ATMA1

Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
$ 0.688
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
NewarkIPD60N10S412ATMA14 1321Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPD60N10S412ATMA121 9981
Rochester ElectronicsIPD60N10S412ATMA178 561
14h
DigiKey
3
448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND3 8581Cut Tape
AvnetIPD60N10S412ATMA102500
16h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD60N10S412ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 11 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+37.03%
Powered bySpectra logo

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

InfineonIPD70N10S312ATMA1
100V, N-Ch, 11.1 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Détails
InfineonIRFR4510TRPBF
TRANSISTOR, HEXFET POWER MOSFET, N-CHANNEL, 100V , 63A, 13.9MOHM MAX, D-PAK
Détails
InfineonIPD70N10S3L12ATMA1
100V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Détails
onsemiFDD3672-F085
N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ
Détails
onsemiFDD16AN08A0
N-Channel 75 V 50 A 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
Détails
onsemiFDD16AN08A0-F085
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 75V, 50A, 13mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60N10S412ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
Newark
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 / N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Win Source
100V, N-Ch, 12.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
Summary of Features: N-channel - Normal Level - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
Infineon

Images

Infineon
element14 APAC
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD60N10S4-12
  • IPD60N10S412
  • SP001102936