Infineon IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
$ 0.636
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD60N10S4L12ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 14 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+15.20%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD60N10S4L12ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
3DTélécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

100V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
TAPE AND REEL / MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
InfineonIRLR3110ZPBF
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
STMicroelectronicsSTD85N10F7AG
Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diodes Inc.DMNH10H028SK3-13
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 / N-Channel 100 V 55A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252-3
N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD60N10S4L12ATMA1 fournies par ses distributeurs.

IPD60N10S4L Series 100 V 60 A OptiMOSTM-T2 Power-Transistor - PG-TO-252-3-313
100V, N-Ch, 12 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 100V, 60A, 175Deg C, 94W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:60A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.6V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD60N10S4L-12
  • IPD60N10S4L12
  • SP000866550