Infineon IPB65R110CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 3.06
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB65R110CFDATMA1578 730
1d
Farnell
2
IPB65R110CFDATMA101Cut Tape
18h
Microchip USAIPB65R110CFDATMA1141300
10h
Verical
4
IPB65R110CFDATMA14 81084
Component Stockers USAIPB65R110CFDATMA110 347
>1wk

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet20 pagesIl y a 14 ans

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIPB65R110CFDATMA1
InfineonIPB65R110CFDAATMA1
Price @ 1000
$ 3.06
$ 2.946
Stock
1,447,501
911,789
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
-
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
277.8 W
Input Capacitance
-
3.24 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

Pièces détachées

InfineonIPB65R420CFDATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB65R660CFDATMA1
Power Mosfet, N Channel, 6 A, 650 V, 0.594 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Détails
VishaySIHB6N65E-GE3
Single N-Channel 700 V 0.6 O 48 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Détails
InfineonIPB50R140CPATMA1
Trans MOSFET N-CH 550V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
Détails
STMicroelectronicsSTB34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK package
Détails
VishaySIHB22N65E-GE3
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB65R110CFDATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N CH, 700V, 31.2A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 31.2A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.099ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Images

Farnell
TME
Farnell
Future Electronics
UTSource
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB65R110CFDATMA1.
  • SP000896400