Diodes Inc. FZT849TA
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Pièces de rechange
Ce composant
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Price @ 1000
$ 0.482
$ 0.65
Stock
589,799
48,836
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
120 V
30 V
Max Collector Current
7 A
7 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
350 mV
350 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
3 W
3 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZX5T849GTA
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. FZT849TA fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
FZT849 Series NPN 7 A 30 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 30V 7A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
General Purpose Transistors NPN Ic=7A Vceo=30V hfe=100~300 P=3W SOT223
Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat
Sot223-3/Npn Silicon Planar High Current(High Performance) Transistor
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:30V; Current, Ic Continuous a Max:7A; Voltage, Vce Sat Max:50mV; Power Dissipation:3W; Hfe, Min:100; ft, Typ:100MHz; Case Style:SOT-223; RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR, NPN, REEL 1K; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 3W; DC Collector Current: 7A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Case Sty
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current7 A
Current Rating7 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current7 A
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité