onsemi FZT649
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1,797,559
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
25 V
25 V
25 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
150 MHz
240 MHz
240 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1998-07-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FZT649 fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
25V 2W 3A 100@1A2V 600mV@3A300mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3 A continuous.
Bipolar Transistor, Npn, 25V; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:25V; Frecuencia De Transición Ft:150Mhz; Disipación De Potencia Pd:2W; Corriente De Colector Dc:3A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:15 |Onsemi FZT649
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, SOT-223-4; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 15hFE; Transistor Case Style: SOT-223; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)35 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.7 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité