Diodes Inc. ZX5T849GTA

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
$ 0.5
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
AvnetZX5T849GTA1 0001K
3d
VericalZX5T849GTA1 0001K
TME
2
ZX5T849GTA01
1d
NewarkZX5T849GTA01Cut Tape
Arrow ElectronicsZX5T849GTA01K

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXTN2007GTA
ZXTN2007 Series 30 V 7 A 3 W NPN Medium Power Transistor - SOT223
Détails
Diodes Inc.ZXTN2005GTA
ZXTN2005G Series NPN 7 A 25 V Surface Mount Low Saturation Transistor - SOT-223
Détails
Diodes Inc.FZT849TA
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Détails
onsemiFZT649
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Détails
onsemiPZTA14
PZTA14 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-223
Détails
onsemiNZT6714
TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,2A I(C),SOT-223
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. ZX5T849GTA fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
IHS
Trans GP BJT NPN 30V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 30V 7A SOT-223
Win Source
ZX5T849G Series NPN 7 A 30 V SMT Silicon Low Saturation Transistor - SOT-223
Future Electronics
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:7A; Collector Emitter Voltage Vces:35mV; Continuous Collector Current Ic Max:7A; Current Ic @ Vce Sat:6.5A; Current Ic Continuous a Max:7A; Current Ic hFE:7mA; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Typ:140MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1.6W; Power Dissipation Ptot Max:3W; Pulsed Current Icm:20A; Resistance R1:28mohm; SMD Marking:X5T849; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:80V
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Images

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TME
Future Electronics

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated