Diodes Inc. FZT869TA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXTN2005GTA
ZXTN2005G Series NPN 7 A 25 V Surface Mount Low Saturation Transistor - SOT-223
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. FZT869TA fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
FZT869 Series NPN 7 A 25 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat
Trans, Npn, 25V, 7A, 150Deg C, 3W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. FZT869TA
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage350 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating6.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min300
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current7 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité