Vishay SI4403BDY-T1-E3
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2028USS-13
DMN Series 20 V 20 mOhm 12.5 W SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SO-8
Diodes Inc.DMS2085LSD-13
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE, 20V VDS, 20±V VGS
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4403BDY-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P-CH MOSFET SO-8 20V 32MOHM @ 1.8V<AZ
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.35 W
Rds On Max17 mΩ
Resistance17 mΩ
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen