Diodes Inc. DMN2028USS-13

1.56W(Ta) 8V 1.3V@ 250¦ÌA 11.6nC@ 4.5 V 1N 20V 20m¦¸@ 9.4A, 4.5V 7.3A 1nF@10V SOIC-8
$ 0.305
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Diodes Inc. DMN2028USS-13 herunter.

Newark

Datasheet7 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 15 Jahren

Diodes Inc SCT

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+12.99%

CAD-Modelle

Laden Sie Diodes Inc. DMN2028USS-13 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
SnapEDA
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R
InfineonIRF8915TRPBF
Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF8910TRPBF
Dual N-Channel 20 V 13.4 mOhm 7.4 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG6898LSDQ-13
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
Si5459DU Series 20 V 8 A 0.052 Ohm P-Channel MOSFET - PowerPAK® ChipFET
STMicroelectronicsSTS9P2UH7
P-channel 20 V, 0.0195 Ohm typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package

Beschreibungen

Beschreibungen von Diodes Inc. DMN2028USS-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

1.56W(Ta) 8V 1.3V@ 250¦ÌA 11.6nC@ 4.5 V 1N 20V 20m¦¸@ 9.4A,4.5V 7.3A 1nF@10V SOIC-8
DMN Series 20 V 20 mOhm 12.5 W SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SO-8
20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8
Trans MOSFET N-CH 20V 9.8A 8-Pin SO T/R
MOSFET N-Ch FET VDSS 20V VGSS 20V ID 9.8A
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET,N CH,20V,9.8A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Diss
Mosfet, n Channel,20V,7.3A, so8; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:9.8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:20V; Resistencia De Activación Rds(On):11Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):4.5V; Tensión Umbral Vgs:1V |Diodes Inc. DMN2028USS-13

Aliasnamen des Herstellers

Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • DMN2028USS13