Diodes Inc. DMS2085LSD-13
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-08-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
onsemiNTMSD3P102R2
2W 20V 1individualPChannel 20V 85mΩ 2.3A SOIC-8 SMD mount，glue mount 5mm*4mm*1.5mm
Beschreibungen
Beschreibungen von Diodes Inc. DMS2085LSD-13, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE, 20V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
20V 3.3A 85mOhm P-ch SO-8 MOSFET WITH INTEGRATED SCHOTTKY DIODE
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin SO T/R
MOSFET P-Ch Enh Fet w/Int Schottky -20Vbr 20Vr
MOSFET, P-CH, 20V, 3.3A, SOIC;
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.1W(Ta) 20V 2.2V@ 250µA 7.8nC@ 10 V 1individualPChannel 20V 85mΩ@ 3.05A,10V 3.3A 353pF@15V SOIC-8 SMD mount 1.5mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance353 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time3.3 ns
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