onsemi NTMSD2P102LR2
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Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Price @ 1000
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$ 0.197
Stock
66,203
68,763
Authorized Distributors
1
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
2.3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
90 mΩ
90 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
750 pF
750 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Verwandte Teile
InfineonIRF7317PBF
Dual N/P-Channel 20 V 0.029/0.058 Ohm 18/19 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7104TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID -2.3A;SO-8;PD 2W;VGS +/-12V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMSD2P102LR2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 20V 3.85A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFETs- Power and Small Signal 20V 3A P-Channel No-Cancel/No-Return
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max90 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen