STMicroelectronics STS9P2UH7
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-08-10
LTD Date2019-02-10
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS9P2UH7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-channel 20 V, 0.0195 Ohm typ., 9 A STripFET H7 Power MOSFET in a SO-8 package
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Very low capacitance and gate charge | MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
20V 9A 2.7W 22.5m´Î@4.5V4.5A 1V@250Ã×A P Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Resistance22.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time84.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.39 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max22.5 mΩ
Rise Time30.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time128 ns
Turn-On Delay Time12.5 ns
Datenblätter und Dokumente
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