Vishay IRFS11N50ATRLP
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 1.35
$ 1.036
$ 1.036
Stock
149,201
68,598
68,598
Authorized Distributors
5
4
4
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
TO-263-3
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
11 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
520 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
-
-
Power Dissipation
-
-
-
Input Capacitance
1.423 nF
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFS11N50ATRLP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 500 V 0.52 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB / N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance520 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.423 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max520 mΩ
Resistance520 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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