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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB10N65K3
N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB9N50TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
3.13W(Ta)，147W(Tc) 30V 5V@ 250µA 36nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 730mΩ@ 4.5A,10V 9A 1.45nF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance730 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max730 mΩ
Rise Time95 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)500 V
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