Vishay IRFS11N50ATRRP
$ 1.45
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | IRFS11N50ATRRP | 0 | 800 | Tape & Reel | 20h | |||||||
| Avnet | IRFS11N50ATRRP | 0 | 800 | 20h | ||||||||
| TTI Europe | IRFS11N50ATRRP | 0 | 800 | Tape & Reel | 22h | |||||||
| Esaler Electronic | IRFS11N50ATRRP | 800 | 3d | |||||||||
| Component Stockers USA | IRFS11N50ATRRP | 640 | 3d |
Datenblätter und Dokumente
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Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFS11N50ATRRP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CHANNEL 500V
N-CH SINGLE 500V TO263
NCHAN IRFS11N50ATRRP
500V N-CH MOS
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance520 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.423 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max520 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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