Vishay SIHB12N50E-GE3
$ 1.121
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | SIHB12N50E-GE3 | 0 | 1K | Tube | 9h | |||||||
| Newark | SIHB12N50E-GE3 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SIHB12N50E-GE3 | 0 | 1K | 2d | ||||||||
| TTI Asia | SIHB12N50E-GE3 | Kontakt | 10h | |||||||||
| TTI Europe | SIHB12N50E-GE3 | 0 | 1K | Tube | 10h |
Bestandsverlauf
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-01-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
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N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHB12N50E-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Single N-Channel 500 V 0.38 Ohm 50 nC 114 W Silicon Mosfet - TO-263-3
114W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 500V 380m¦¸@ 6A,10V 10.5A 886pF@100V TO-263-3
VISHAY SIHB12N50E-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10.5A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 114W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: E Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Input Capacitance886 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max380 mΩ
Threshold Voltage4 V