Infineon IPB50R250CPATMA1
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Verwandte Teile
InfineonIPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK / N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
STMicroelectronicsSTB24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB50R250CPATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
CoolMOS CP, Infineon's fifth series of CoolMOS, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. | Summary of Features: Lowest figure of merit R on x Q g; Ultra low gate charge; Extreme dv/dt rate; Ultra low R DS(on), ultra low gate charge, very fast switching; V th 3 V, g fs very high, internal R g very low; High current capability; Significant reduction of conduction and switching losses; High power density and efficiency for superior power conversion systems; Best-in-class price/performance ratio | Target Applications: Solar; Server; Telecom; Consumer; Adapter; PC power
MOSFET, N, TO-263; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:550V; Current, Id Cont:13A; On State Resistance:0.25ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-263; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; SVHC:Cobalt dichloride
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.42 nF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation114 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance250 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation114 W
Rds On Max250 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen