STMicroelectronics STB13N60M2
$ 1.016
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STB13N60M2 | 408 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STB13N60M2 | 1.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB13N60M2 | 1.000 | 1K | |||||||||
| Future Electronics | STB13N60M2 | 1.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| TME | STB13N60M2 | 963 | 1 | 21h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.35%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STB13N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB13N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 650 V, 3-PIN D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 600V, 11A, 110W, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.35%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance580 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation110 W
Rds On Max380 mΩ
Resistance380 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant