STMicroelectronics STI24NM60N
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTFI24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
onsemiFQI12N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI24NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET I2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
125W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 46nC@ 10 V 1N 600V 190m¦¸@ 8A,10V 17A 1.4nF@50V I2PAK
Mosfet, N Channel, 600V, 17A, To-262; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STI24NM60N
MOSFET N-Channel 650V 17A I2PAK
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time16.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant