STMicroelectronics STI24N60M2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
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InfineonSPI21N50C3XKSA1
Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI24N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STI24N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 650 V, 3-PIN I2PAK
N-Channel 600 V 190 mOhm Through Hole MDmesh II Plus Power Mosfet - I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
150W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 29nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 190m¦¸@ 9A,10V 18A 1.06nF@100V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting 10mm*4.4mm*8.95mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max190 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height9.35 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant