onsemi FQI12N60CTU
$ 1.193
Obsolete
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Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQI12N60CTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
3.13W(Ta),225W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 63nC@ 10V 1N 600V 650m¦¸@ 6A,10V 2.29pF@25V I2PAK,TO-262
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance650 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.29 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation225 W
Rds On Max650 mΩ
Rise Time85 ns
Turn-Off Delay Time155 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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