STMicroelectronics STFI24N60M2
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI31N65M5
N-channel 650 V, 0.124 Ohm typ., 22 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTFI24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKFP package
InfineonSPI21N50C3XKSA1
Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI24N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STFI24N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 650 V, 3-Pin I2PAKFP
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-281
30W(Tc) 25V 4V@ 250µA 29nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 190mΩ@ 9A,10V 18A 1.06nF@100V TO-281 Through hole mounting 10.85mm(height)
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.75%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height10.85 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant