STMicroelectronics STFI24NM60N
Obsolete
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 2.454
Stock
60,060
81,930
Authorized Distributors
0
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-262-3
TO-262-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
17 A
18 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
190 mΩ
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
25 V
Power Dissipation
30 W
30 W
Input Capacitance
1.4 nF
1.06 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
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Cool MOS™ Power Transistor / Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STFI24NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKFP package
Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK FP Tube
Power Field-Effect Transistor
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAKFP
CAP CER 180PF 50V C0G 0402
Ptd High Voltage
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Power Dissipation30 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time16.5 ns
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
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